韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国和中国在存储半导体领域的技术差距是DRAM为5年，NAND闪存为2年。

该研究所在 5 月 30 日表示，中国 DRAM 制造商长鑫存储技术公司（CXMT）今年正在推动第二代 10 纳米（1y 或 16 纳米到 17 纳米）DRAM 的量产。三星电子和 SK 海力士计划在今年年底或明年量产第 5 代 10-nm（1b 或 12-nm 到 13-nm）DRAM。考虑到每代人的技术差距在两年到两年半左右，两国的技术差距在五年以上。