7 月 21 日讯，近日，华虹半导体有限公司宣布，公司 95 纳米 SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工艺平台通过不断的创新升级，技术优势进一步增强，可靠性相应大幅提升。华虹半导体 95 纳米 SONOS eNVM 工艺技术广泛应用于微控制器（MCU）、物联网（IoT）等领域，具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点。相对上一代技术，95 纳米 SONOS eNVM 5V 工艺实现了更小设计规则，获得了同类产品芯片面积的缩小；逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过 40%，达到业界领先水平；所需光罩层数较少，能够提供更具成本效益的解决方案。同时，95 纳米 SONOS eNVM 5V 工艺具有更高集成度和领先的器件性能，存储介质擦 / 写特性达到了 2 毫秒的先进水平；低功耗器件驱动能力提高 20%，仅用 5V 器件可以覆盖 1.7V 至 5.5V 的宽电压应用。华虹半导体持续深耕，95 纳米 SONOS eNVM 采用全新的存储器结构以及优化操作电压，大大提高了阈值电压的窗口。在相同测试条件下，SONOS IP 的擦写能力达到 1000 万次，可靠性提升 20 倍；在 85℃条件下，数据保持能力可长达 30 年，处于国际领先水平。华虹半导体致力于持续优化工艺水平，在提升数据保持能力条件下，同时提升擦写次数，更好地满足市场对超高可靠性产品的需求。  此外，随着高可靠性工艺平台及衍生工艺受到青睐，公司基于 SONOS 工艺的 eNVM 更可以涵盖 MTP（Multi-Time Programmable Memory）应用。通过简化设计、优化 IP 面积和减少测试时间等，在 IP 面积、测试时间、使用功耗和擦写能力上比 MTP 性能更优，更具竞争力。在此基础上增加配套的可选器件，进一步满足电源管理和 RF 类产品的需求。华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“嵌入式非易失性存储器技术向来是华虹半导体的 ‘王牌’之一，一直保持着业界领先地位，为广大 MCU 客户提供了灵活多样的技术平台。在‘8 英寸+12 英寸’战略定位的指引下，公司在 8 英寸平台上，通过缩小存储单元 IP 面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺；同时，我们发挥 12 英寸平台更小线宽特性，打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台，在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时，满足物联网、MCU、汽车电子等高增长的市场需求。”华虹半导体有限公司是一家主要从事制造及销售半导体产品的中国投资控股公司。该公司的主要产品包括专业应用的 200mm 晶圆半导体、嵌入式非易失性存储器及功率器件。该公司的主要客户群体包括集成器件制造商、系统及无厂半导体公司。该公司的主要子公司包括 Grace Semiconductor Manufacturing Corporation、上海华虹宏力半导体制造有限公司及上海华杰芯片技术服务有限公司。